GaN 200V enhanced MOSFET是方正微電子的GaN工藝平臺，主要應用于汽車電子的電源管理，具有高效率、高溫度工作區間和低通態電阻特性，并能夠提供完整的設計服務。
1) 工藝特性
? 高性能硅基氮化鎵技術
? 常態下關閉器件
? 柵極工作電壓與硅器件相當：+/‐10V,+/‐15V等
? Vgs可依照硅場效應管，高到足以避免C*dV/dt引起的打開
? 反向并聯二極管功能包括：反向恢復損耗低于硅器件
? 柵極電荷低
? 超低的導通電阻
? 工作溫度可達250°C
? 開關速度快
2) 典型應用
? RF
? 馬達
? 光電轉換器