Power Discrete Device

       45V～200V MOS SBD具有低漏電流，低開啟電壓，高性能及低成本，可完全替代目前龐大的傳統低壓肖特基市場, FMIC具有此類產品自行設計研發能力。

1)    工藝特性

?  0.5um MOS肖特基技術

?  4層光刻工藝

?  低電阻率外延硅材料

?  PN結和肖特基混合式二極管

?  低功耗

?  超高速

2)    典型應用

?  MB（主機板），Mobile，低電壓電子產品整流器

?  PC、NB電源供應，電子充電器

?  LCD TV、交流轉直流整流器