IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體,在各種電力變換中獲得極廣泛的應用，FMIC已具備該工藝產品的研發能力。
1) 工藝特性
? 非穿通技術
? 阻斷電壓：600～1700V
? 驅動電流大
? 飽和壓降低
? 開關速度快
2) 典型應用
? 電磁爐
? 電機驅動
? 電焊機
? 變頻器
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體,在各種電力變換中獲得極廣泛的應用，FMIC已具備該工藝產品的研發能力。
1) 工藝特性
? 非穿通技術
? 阻斷電壓：600～1700V
? 驅動電流大
? 飽和壓降低
? 開關速度快
2) 典型應用
? 電磁爐
? 電機驅動
? 電焊機
? 變頻器